English
Khi nhu cầu về trí tuệ nhân tạo (AI) tăng nhanh, người ta dự đoán rằng thị trường bộ nhớ băng thông cao (HBM) sẽ tiếp tục mở rộng vào năm tới và sản phẩm thế hệ tiếp theo “HBM3E” sẽ nổi lên như một xu hướng chủ đạo. Hiện tại, Samsung Electronics và SK hynix đang dẫn đầu thị trường HBM, và dự kiến Micron, một người đến sau, sẽ bỏ qua HBM3 và ra mắt HBM3E để tăng tốc cạnh tranh.
Theo báo cáo của ngành vào ngày thứ 2, công ty nghiên cứu thị trường TrendForce cho biết: “Khi nhu cầu về chip tăng tốc AI tăng lên, các nhà sản xuất bộ nhớ có kế hoạch tung ra các sản phẩm HBM3E mới vào năm tới và các sản phẩm HBM3 và HBM3E dự kiến sẽ trở thành xu hướng chủ đạo trên thị trường vào năm tới”. “Các công ty bộ nhớ lớn sẽ phát hành các mẫu HBM3E trong quý đầu tiên của năm tới và bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm tới.”
HBM là sản phẩm hiệu năng cao kết nối nhiều DRAM theo chiều dọc, tăng đáng kể tốc độ xử lý dữ liệu so với DRAM thông thường. Năm ngoái, SK hynix chiếm vị trí đầu tiên với 50% thị phần HBM toàn cầu, tiếp theo là Samsung Electronics (40%) ở vị trí thứ hai và Micron (10%) ở vị trí thứ ba.
Theo TrendForce, HBM3 rơi vào hai loại dựa trên tốc độ. HBM3 chạy ở tốc độ 5,6 ~ 6,4Gbps (gigabit mỗi giây) và HBM3E được chia thành HBM3P, HBM3A, HBM3 +, HBM3 Gen 2, v.v., với tốc độ 8Gbps.
“Thế hệ sản phẩm HBM trước đây dựa trên dung lượng 8GB, nhưng HBM3E sẽ được mở rộng lên 24GB”, TrendForce cho biết, “và HBM3E dự kiến sẽ được đưa vào GB100 của NVIDIA, dự kiến sẽ có mặt vào năm 2025”.
