EnglishSamsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt ‘VNAND thế hệ thứ 9 Tb (Tabit) TLC (Triple Level Cell) lần đầu tiên trong ngành.
Samsung Electronics đã thực hiện
▲ kích thước tối thiểu của tế bào (Cell)
▲ độ dày của khuôn tối thiểu (Mold) trong ngành, tăng mật độ bit (Bit Density) của ‘VNAND thế hệ thứ 9 Tb TLC lên khoảng 1,5 lần so với thế hệ trước.
Công nghệ loại bỏ lỗ kênh giả đã giảm diện tích mặt phẳng của tế bào và áp dụng công nghệ tránh nhiễu tế bào và công nghệ kéo dài tuổi thọ tế bào để tăng chất lượng sản phẩm và độ tin cậy.
‘VNAND thế hệ thứ 9’ của Samsung Electronics là sản phẩm số ít nhất có thể thực hiện với cấu trúc Double Stack, công nghệ ‘Channel Hole Etching’ đã cải tiến quy trình xuyên thủng số ít nhất trong ngành cùng một lúc, nâng cao năng suất sản xuất.
“Channel Hall etching” là kỹ thuật tạo ra các lỗ (channel hall) nơi các điện tử di chuyển cùng một lúc sau khi xếp theo thứ tự các lớp khuôn. Đặc biệt, số lớp càng cao thì hiệu quả sản xuất càng tăng nên đòi hỏi sự tinh vi – độ cao.
V-NAND thế hệ thứ 9 được áp dụng giao diện flash NAND thế hệ tiếp theo ‘Toggle 5.1’, tăng 33% so với V-NAND thế hệ thứ 8 lên tới 3.2Gbps tốc độ đầu ra và đầu ra dữ liệu. Samsung Electronics có kế hoạch củng cố khả năng lãnh đạo công nghệ flash NAND bằng cách hỗ trợ giao diện PCIe 5.0 và mở rộng thị trường SSD hiệu suất cao.
Ngoài ra, ‘VNAND thế hệ 9’ trang bị công nghệ thiết kế năng lượng thấp, cải thiện điện năng tiêu thụ khoảng 10% so với sản phẩm thế hệ trước. Vừa tăng cường quản lý môi trường vừa được kỳ vọng sẽ trở thành giải pháp tối ưu cho những khách hàng tập trung vào việc cắt giảm chi phí năng lượng.
Heo Sung-hoe, phó chủ tịch bộ phận phát triển Flash của Samsung Electronics, cho biết: “Khi thế hệ các sản phẩm flash NAND phát triển, nhu cầu của khách hàng đối với các sản phẩm dung lượng cao và hiệu suất cao tăng lên, chúng tôi sẽ cải tiến công nghệ cực đoan và nâng cao năng suất sản xuất và khả năng cạnh tranh sản phẩm.”
Samsung Electronics có kế hoạch sản xuất hàng loạt ‘QLC (Quad Level Cell) thế hệ thứ 9 V-NAND thế hệ thứ 9 của TLC sau đó sẽ đẩy nhanh việc phát triển flash NAND dung lượng cao và hiệu suất cao được yêu cầu trong thời đại AI.
>>> Tham gia đầu tư chứng khoán Hàn Quốc ngay hôm nay, tiếp cận thị trường mới tìm kiếm cơ hội đạt lợi nhuận lớn cùng chuyên gia Bucket-VN :
- Đăng ký tư vấn miễn phí và bắt tín hiệu thị trường chứng khoán Hàn Quốc tại: https://bucketvn.com/dang-ky-tu-van/
- Hotline: 028 3636 6553
- Group Facebook thảo luận : https://www.facebook.com/groups/bucketvn
